IC制造所需的超纯水中，优选关注的指标为：Particle、TOC、SiO2、碱金属、碱土金属、重金属、DO、细菌、硼等。细菌的影响与TOC和颗粒的影响基本相同，在清洗用水中，如果含有不纯物或微粒会导致栅氧化膜厚度不均，产生图形发生缺陷；耐压性变差，超纯水中的有机物等不纯物会使产品结晶不良，DO会使硅片表面的氧化膜提前完成

水质要求：

1、电阻：≥18.2mΩ.cm；

2、TOC≤5ppb  ；                

3、particle（≧0.1um）：≦20pcs/ml；

4、particle（≧0.2um）：≦10pcs/100ml；

5、DO：5-10ppb；

6、细菌总数：≤1个/100mL（CFU）；

7、B≤0.05ppb；

8、溶解SiO2≤0.25ppb；

9、蒸发残渣≤0.1mg/L；

10、输送压力：4.0±0.5 kg/cm2（恒压变频）；

11、温度;22±2℃