IC制造所需的超纯水中，优选关注的指标为：Particle、TOC、Si、碱金属、碱土金属、重金属、DO、细菌等细菌的影响与TOC和颗粒的影响基本相同，在清洗用水中，如果含有不纯物或微粒会导致栅氧化膜厚度不均，产生图形发生缺陷；耐压性变差，超纯水中的有机物等不纯物会使产品结晶不良，DO会使硅片表面的氧化膜提前完成

　　

　　应用案例：晶圆厂生产/切割用超纯水系统

　　

　　1、水质要求：

　　

　　a、电阻：≥18.2mΩ.cm

　　

　　b、TOC：<20ppb

　　

　　c、particle（≧0.1um）：≦20pcs/ml

　　

　　d、particle（≧0.2um）：≦10pcs/100ml

　　

　　e、DO：≤80ppb

　　

　　f、细菌总数：≤1个/100mL（cfu）

　　

　　g、输送压力：4.0±0.5 kg/cm2（恒压变频）

　　

　　h、温度;22±2℃

　　

　　2、工艺流程：

　　

　　预处理（砂+碳+软化或者UF）→RO增压泵浦→1μm过滤器→防垢剂加药系统→一级RO系统→一级RO水箱→二级RO高压泵浦→二级RO系统→纯水箱→EDI增压泵浦→UV灭菌器→0.2μm精密过滤器→EDI膜堆单元→氮封水箱→超纯水输送泵→终端板式换热器→脱氧膜系统→TOC降解器→一级抛光树脂→二级抛光树脂→0.2μm终端过滤器→终端UV灭菌器→0.1μm终端过滤器→使用点