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昆山广盛源水务科技有限公司

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50T超纯水系统

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  IC制造所需的超纯水中,优选关注的指标为:Particle、TOC、Si、碱金属、碱土金属、重金属、DO、细菌等细菌的影响与TOC和颗粒的影响基本相同,在清洗用水中,如果含有不纯物或微粒会导致栅氧化膜厚度不均,产生图形发生缺陷;耐压性变差,超纯水中的有机物等不纯物会使产品结晶不良,DO会使硅片表面的氧化膜提前完成

  50T超纯水系统.jpg

  应用案例:晶圆厂生产/切割用超纯水系统

  

  1、水质要求:

  

  a、电阻:≥18.2mΩ.cm

  

  b、TOC:<20ppb

  

  c、particle(≧0.1um):≦20pcs/ml

  

  d、particle(≧0.2um):≦10pcs/100ml

  

  e、DO:≤80ppb

  

  f、细菌总数:≤1个/100mL(cfu)

  

  g、输送压力:4.0±0.5 kg/cm2(恒压变频)

  

  h、温度;22±2℃

  

  2、工艺流程:

  

  预处理(砂+碳+软化或者UF)→RO增压泵浦→1μm过滤器→防垢剂加药系统→一级RO系统→一级RO水箱→二级RO高压泵浦→二级RO系统→纯水箱→EDI增压泵浦→UV灭菌器→0.2μm精密过滤器→EDI膜堆单元→氮封水箱→超纯水输送泵→终端板式换热器→脱氧膜系统→TOC降解器→一级抛光树脂→二级抛光树脂→0.2μm终端过滤器→终端UV灭菌器→0.1μm终端过滤器→使用点


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